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Weyl半金属TaP中未饱和的正、负巨大磁阻

第一作者:杜建华(浙江大学)
通讯作者:方明虎(浙江大学)


成果简介:
寻找新型三维拓扑材料、探索其奇异量子输运行为,已成为凝聚态物理和材料科学重要研究方向之一。继中科院物理所翁红民、戴希、方忠等人从理论上预言了四个具有对称性破缺的TaAs材料为Weyl半金属之后,人们相继在其中三个化合物中证实了这种预言。本课题组在这些工作的基础上,国际上率先生长出最难生长的TaP单晶,并通过对其电阻和Hall系数的系统观测,发现在2 K和300 K时,8 T磁场下其磁阻分别高达3.28X105%和176%,并证实其为低载流子浓度、高迁移率的空穴-电子补偿型半金属。同时,由TaP低温下的电阻震荡(SdH)得到的非平庸的Berry相,以及当磁场与电流相互平行时,TaP呈现未饱和的、显著的负磁阻效应,这些结果都进一步证实了它确实属于Weyl半金属。


团队介绍:
方明虎团队主要从事超导材料和物理研究,就新型超导体研究方面取得了一系列创新性研究成果,先后发现了三类新型Se化物超导体。其所在研究组针对新型拓扑材料开展新的探索,先后在TaP和

α-WP2  两类单晶中发现了极大磁阻,并就其磁阻机理问题进行深入研究。其所在研究组在上述工作的基础上发表论文160多篇,他引3340多次,多篇文章入选ESI高被引论文。



参考文献:
JianHua Du, HangDong Wang, Qin Chen, QianHui Mao, Rajwali Khan, BinJie Xu, YuXing Zhou, YanNan Zhang, JinHu Yang, Bin Chen, ChunMu Feng, and MingHu Fang, Large unsaturated positive and negative magnetoresistance in Weyl semimetal TaP, Sci. China-Phys. Mech. Astron. 59, 657406 (2016); doi: 10.1007/s11433-016-5798-4.

http://engine.scichina.com/publisher/scp/journal/SCPMA/59/5/10.1007/s11433-016-5798-4?slug=full%20text. 

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