投票人次 访问量
6528 2798

单晶InGaAs纳米线:用于室温高性能近红外光电探测器

第一作者:谭晃(湖南大学)
通讯作者:潘安练(湖南大学)

InGaAs是一种重要的带隙可调三元半导体,在电子和光电子领域有着广泛的应用。本工作通过化学气相沉积法合成了单晶InGaAs纳米线。光致发光测试表明InGaAs纳米线在近红外区域具有很强的光发射, 同时在红外宽光谱范围内都表现出良好的光电响应,响应度达到6.5×103 A/W,外量子效率为5.04×105%。这也是首次构建了基于气相生长的InGaAs纳米线的红外光电探测器,将在新型集成光电子器件和光子系统中都具有潜在的应用。


团队介绍:


潘安练团队致力于通过控制材料生长制造纳米激光器,光波导,放大器,调制器和检测器等高性能集成光子器件,并最终构建片上光互连器件和集成光子系统。课题组负责人潘安练教授是国家“万人计划” 领军人才入选者,中青年科技创新领军人才,教育部新世纪人才,洪堡学者,芙蓉学者。曾获得湖南省自然科学一等奖,湖南大学优秀科学家奖。 

详见课题组网站:http://nanophotonics.hnu.edu.cn/Prof_Pan.htm


参考文献:

Huang Tan, Chao Fan, Liang Ma, Xuehong Zhang, Peng Fan, Yankun Yang, Wei Hu, Hong Zhou, Xiujuan Zhuang, Xiaoli Zhu, Anlian Pan,Single-crystalline InGaAs Nanowires for Room-Temperature High-performance Near-infrared Photodetectors. Nano-Micro Lett. 8(1), 29-35 (2016). 

http://dx.doi.org/10.1007/s40820-015-0058-0


投票